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SI2301CDS-T1-GE3的参数!

信息来源 : 网络|发布时间 : 2014-05-08 15:01|浏览次数 : 1266

 

SI2301CDS-T1-GE3

 

基本参数:

制造商编号:SI2301CDS-T1-GE3

制造商:Vishay

述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

SI2301CDS-T1-GE3

商品属性SI2301CDS-T1-GE3

商品描述FETMOSFET P通道,金属氧化物 

FET特点标准型 

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°C112毫欧@ 2.8A, 4.5V 

漏极至源极电压(Vdss)20V 

电流-连续漏极(Id) @ 25°C3.1A 

Id时的Vgs(th)(最大)1V @ 250μA 

闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V 

Vds时的输入电容(Ciss)405pF @ 10V 

功率-最大1.6W 

安装类型表面贴装 

封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

包装带卷(TR) 

联 系 人:夏先生  朱小姐
电话(Tel): 86-755-82772189 82723761
传真(Fax): 86-0755-82737687
Q Q: 1245773710  867789136 974337758                   更多产品请登录:www.hengdayi.com
公司地址:深圳市福田区华强北上步工业区101栋西6楼616室

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